第六百二十五章 李觉:我可是技术型领导！(2/7)

    趁着赵忠尧等人开机的间隙，程开甲也向老郭李觉等解释起了一些常识：

    「郭工，厂长，现在老师他们在进行的是粒子轨迹分析，王京同志安置靶材的插口就是电磁簇射检测设备。」

    「另外对撞机内部还有两台硅探测器，它们会将数据导入到一台多晶体管显像器上，通过分析很快就可以得出大量的数据了。」

    「我们这台加速器对撞发生的时间间隔是25ns，也就是40hz，不出意外大概可以产出大几千张图纸。」

    听闻此言。

    一旁的徐云也点了点头。

    众所周知。

    从步骤上划分，粒子对撞机大概可以分成三个部分：

    生产粒子、加速粒子、分析粒子。

    其中生产粒子的方法很多，主要分成电子源和离子源。

    电子源就是加热、光电效应、场致发射或者次级发射——当初徐云在1850副本中使用的就是场致发射原理。

    至于离子源就比较多了，啥负离子源、正电子源、反质子源、中子源等零零散散好多种。

    加速粒子则主要靠的是磁场和电磁，难点一是加速长度也就是管道强度，二是聚焦。

    在三个模块中，最具备技术力的其实是第三个，也就是分析粒子。

    在徐云穿越来的2

    023年，分析粒子的技术已经很成熟了。

    比如说s有两级降频，快速判断事件的价值，过滤无聊的对撞事件，筛选有价值的对撞事件。

    这种降频技术也叫trigr，两级trigr分别可以把频率降为100khz和1khz。

    另外还有多丝正比室、漂移室等等，华夏的燕京正负电子对撞机上的谱仪实验就使用了漂移室。

    不过在眼下这个时期，技术就比较原始了。

    例如众人面前的这架串列式加速器。

    它使用了硅半导体作为探测传感器，因为这种材料能够在粒子对撞中大量的辐射中幸存下来，并且能提供高精度的位置测量。

    而这种传感器的基本结构就是半导体器件中常见的p-n结，这个结构被发现于1940年3月6日。

    这辈